淺談三星量產HBM2顆粒

　　據ArsTechnica網站報道，三星開始了第二代高位寬顯內存（HBM2）顆粒的量產，這一采用20nm制程的產品支持高達256GB每秒的速率，較應用于AMDFury顯卡上的第一代HBM高出一倍。這一技術亦可以將目前顯卡產品的4GB顯存容量限制進一步提升至16GB，也就是說，未來的顯卡能夠配備容量更大的顯存。與初代HBM不同，HBM2采用堆疊工藝，DRAM顆粒彼此間相互疊加，通過硅通道垂直連接，進而可以通過堆疊通道底部的中介層與GPU直接連接。由于芯片間的距離更加接近，因此在提升速率的同時，也進一步降低了功耗。

　　理論上，采用HBM2的顯卡將具備高達每秒1024GB的顯存帶寬，這一速率兩倍于FuryX顯卡系列，更是三倍于英偉達的TitanX。

　　三星目前采用4GB的堆疊工藝，其計劃于今年晚些時候開始采用8GB工藝生產。

　　顯存帶寬的進一步提升有望為用戶帶來更高的幀率，這一點在VR應用領域尤為重要。此外，由于HMB2顯存的功耗更低，GPU有望獲取更大動力，進一步提升顯卡的整體性能。AMD表示，通過采用HBM技術，其FuryX顯卡在顯存方面的功耗最多減少了40至50瓦。

　　AMD將在即將面市的Polaris架構產品上采用HBM2技術，而英偉達也將在Pascal上采用。

　　英特爾在某些處理器中采用EDRAM并獲得了一定程度的成功，但HBM2技術無疑能夠為GPU在帶寬方面帶來更大的改善。雖然采用HBM2的APU無法對高端顯卡形成威脅，但中低端的產品很快將會感受到一定程度的壓力。

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