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三星128GB單條 DDR4內存開始量產是3D的
2014年8月底,三星電子宣布量產全球第一款采用3D TSV立體硅穿孔封裝技術打造的DDR4內存條,單條容量高達64GB。一年多后,三星將這一容量翻了一番,開始量產128GB TSV DDR4內存條。
新內存依然是面向企業級服務器市場的RDIMM類型條子,使用了多達144顆DDR4內芯片,每一顆容量8Gb(1GB),然后每四顆芯片利用TSV技術緊密封裝在一起,總計36個組,分布在內存條兩側。
制造工藝是三星最先進的20nm,起步頻率2400MHz,接下來將逐步提升到2667MHz、3200MHz。
另外,三星還會把TSV硅穿孔技術應用到HBM高帶寬內存中。
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